osuの新着情報
インクジェット、一段と細密に1吐射フェムトリットル単位可能
クラスターテクノロジー社はシリコン材料に直径20ナノ・の穴を開けることに成功した。この技術を応用すると、一吐射がフェムト・(フェムトは千兆分の一)水準のインクジェットの開発が可能になるという。 【日経産業新聞 2002年11月1日(金)】

半導体製造に使う集束イオンビーム(FIB)を使い大阪産業大学の田中武雄、山田修両教授と共同で手がけた。穴の深さは1マイクロ・(マイクロは百万分の一)。これまでは直径100ナノ・程度までが限界だったが、加工手法の工夫で実現した。
同社は一吐射当たり1ピコ・(ピコは一兆分の一)のインクジェットヘッドを開発。今後、同フェムト・単位のインクジェットヘッド用のノズルを開発し、線幅70ナノ・以下の半導体回路の開発やバイオチップなどへの応用に取り組む。

 
< 前へ   次へ >