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ナノ水準の円すいの穴シリコン上に加工
クラスターテクノロジー社はシリコンにナノm水準の逆円すい形の穴を加工することに成功した。 【日経産業新聞 2002年2月22日(金)】

穴のシリコン部分の直径は800ナノm、深さは15マイクロ・。ガリウムをイオンビーム源にした集束イオンビーム装置を使って実現した。深さは3ー4マイクロmなら直径200ー300ナノm、深さがそれほど必要なければ直径100ナノmの逆円すい形の穴を加工できる。
従来、こうした超微細加工はレーザー加工機を使っていたが、直径10ー20マイクロm程度が限界なうえ、穴の周囲が溶解してケロイド状になる課題があった。ガリウムイオンビームは分子レベルで掘り崩すため、深く滑らかに加工可能。逆円すい形の頂点部分を切断し、一分子の動きを観察することもできるようになる。
新薬開発や遺伝子解析などでは分子レベルでの合成・分解、解析が欠かせず、そのためにはナノ水準の技術を駆使した実験器具が必要。クラスターテクノロジー社はバイオテクノロジーとナノテクノロジーを融合した”バイオナノテク”の基礎技術になると見る。

 
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